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Spécification du produit

La description


Solar Grade Mono-Crystalline Silicon Wafer

Growth Method

CZ

Conductive Type

P

Dopant :Boron(B)

Boron(B)

Orientation

<**0>

Off Orientation

<±3°

Resistivity(ρ)

**3Ω·cm/**6Ω·cm

Minority Carrier Lifetime(Ï„d)

>*0μS

Oxygen Content (Oi)

≤1.0****8at/cm3

Carbon Content(C)

≤5.0****6at/cm3

Disicoation Density(Nd)

≤***0/ cm2

Size<

Solar Grade Poly-crystalline Silicon Silicon Wafer

Conductive Type

P

Dopant :Boron(B)

Boron(B)

 

Pays: China
N ° de modèle: Silicon Wafer
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