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Silicon Ingot

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Spécification du produit

La description


Dopant :Boron(B)

Microcrystal Quantity

>*0/ cm³

Resistivity(ρ)

1~3 ohm/cm2

Minority Carrier Lifetime(Ï„d)

>2μs

Oxygen Content(Oi)

<1×***7 atms/cm3

Carbon Content(C)

<5×***6 atms/cm3 

Growth Method

CZ

Conduction Type

P

Dopant :Boron(B)

Boron(B)

Orientation

<**0>

Off Orientation

<±3°

Resistivity(ρ)

**3Ω·cm

Minority Carrier Lifetime(Ï„d)

>*0μS

Pays: China
N ° de modèle: Silicon Ingot
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