SiS407DN-T1-GE3 By Shenzhen Keweilian Electronics Co., Ltd,
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Spécification du produit

  • Brand Name: Vishay

La description

Package / Case PowerPAK******8
Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage *0 V
Id - Continuous Drain Current *5 A
Rds On - Drain-Source Resistance 9.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage **0 mV
Qg - Gate Charge *8 nC
Pd - Power Dissipation *3 W
Channel Mode Enhancement
Configuration Single
Fall Time *8 ns
Forward Transconductance - Min *0 S
Height 1.*4 mm
Length 3.3 mm
Product Type MOSFET
Rise Time *8 ns
Typical Turn-Off Delay Time *2 ns
Typical Turn-On Delay Time *3 ns
Width 3.3 mm

Pays: China
N ° de modèle: -
Prix FOB: ( Negotiable ) Obtenir le dernier prix
Localité: China
Prix de commande minimale: -
Commande minimale: 1
Packaging Detail: box, etc
Heure de livraison: 3 to 7 days
Capacité de Fournir: 72000 Piece
Payment Type: -
Groupe de produits : Mosfet
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