SI3456DDV-T1-GE3 By Shenzhen Keweilian Electronics Co., Ltd,
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Spécification du produit

  • Brand Name: Vishay

La description

Package / Case TSOP*6
Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage *0 V
Id - Continuous Drain Current 6.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance *0 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - *0 V, + *0 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 2.8 nC
Pd - Power Dissipation 2.7 W
Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single
Fall Time *1 ns
Product Type MOSFET
Rise Time 9 ns
Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time *1 ns
Typical Turn-On Delay Time 4 ns

Pays: China
N ° de modèle: -
Prix FOB: ( Negotiable ) Obtenir le dernier prix
Localité: China
Prix de commande minimale: -
Commande minimale: 1
Packaging Detail: box, etc
Heure de livraison: 3 to 7 days
Capacité de Fournir: 9866 Piece
Payment Type: -
Groupe de produits : Mosfet
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