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solar wafer
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Personne àcontacter Mr. charlie
donghuan, Shenzhen, Guangdong
General Characteristics Features Product Multicrystalline silicon wafer Growth Method Directional solidification Conductivity Type P type Dopant Boron Resistivity 1~3Ω.cm Oxygen Content 1×*0 *8 atom/cm 3 Carbon Content 4×*0 *7 atom/cm 3 Structural Characteristics Features Side **6.0mm ± 0.5mm Corner diagonal 1.5mm ± 0.5mm Life time 2us*3us Corner Angle *5°±*0° Thickness **0±*0μm Surface No stain or splash on surface Mechanical Characteristics Features TTV ≤*0μm Bow ≤*0μm Surface No defect Saw Mark ≤*5μm
| Pays: | China |
| N ° de modèle: | solar wafer |
| Prix FOB: | Obtenir le dernier prix |
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