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China
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baoan building, shanghai, shanghai
Growing Method：DSS Doping Type：P Dopant：Boron (B) Risistivity（ρ）0.**3Ω.cm; **6Ω.cm Life Time: >2μS Wafer Size：**6***6±0.5mm Thinkness:**0±*0 μm Warpage: <*0μm
| Pays: | China |
| N ° de modèle: | 125*125 156*156 |
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