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IRF9Z24N

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Pays:

China

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IRF9Z24N

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Spécification du produit

  • Brand Name: IRF9Z24N

La description

RoHS:   Details  
 
Transistor Polarity:  P-Channel   
 
Drain-Source Breakdown Voltage:  - *5 V   
 
Gate-Source Breakdown Voltage:  *0 V   
 
Continuous Drain Current:  - *2 A   
 
Mounting Style:  Through Hole   
 
Package / Case:  TO***0AB   
 
Packaging:  Tube   
 
Gate Charge Qg:  *2.7 nC  
 
Power Dissipation:  *5 W  
 
Factory Pack Quantity:  *0

Pays: China
N ° de modèle: IRF9Z24N
Prix FOB: ( Negotiable ) Obtenir le dernier prix
Localité: -
Prix de commande minimale: -
Commande minimale: 100 Piece
Packaging Detail: -
Heure de livraison: -
Capacité de Fournir: -
Payment Type: PayPal, T/T
Groupe de produits : Integrated Circuits

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