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Personne àcontacter Kate
Quanzhou, Fujian
A ***0 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and
industrialÂÂ
applications in the HF to **0 MHz band. This product is an enhanced
version of theÂÂ
BLF**8 using NXP's XR process to provide maximum ruggedness
capability in the mostÂÂ
severe applications without compromising the RF performance.
| Pays: | China |
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